10月17日至20日，第三届全国宽禁带半导体学术会议在西安召开，包括多位中科院院士在内的、来自40多所国内著名高校、科研院所以及业界的专家学者430余人参会。
会议聚焦宽禁带半导体及其器件研究领域的最新进展，为发展新的实验方法、理论并凝炼关键科学问题提供依据，全面推动以宽禁带半导体材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作，促进我国宽禁带半导体材料及其器件研究平台的建设，并通过共同努力，拓展该类先进材料与器件的应用与成果转化。
全国宽禁带半导体学术会议每两年举办一届，是国内宽禁带半导体领域最权威的学术会议之一。省半导体产业技术研究院作为主办方之一，组织10位专家学者参加了学术交流，分别作了题为《AlGaN基紫外LED的缺陷调控及发光效率提升研究》和《Micro-LED显示技术发展之路-单色显示vs全彩显示》的邀请报告，获得与会专家学者的热烈反响。
全体合影
省半导体院专家作邀请报告
（省半导体院 赵维/供稿）
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