应变传感器在健康监测、可穿戴设备、人工智能等领域具有重要应用，利用压电效应实现对应变的监测有望成为一种主流技术路线。氮化物半导体具有非常强的压电效应，是制备应变传感器的理想材料。然而，蓝宝石衬底刚性较强，上层的外延结构应变调控范围有限，限制了其在应变传感器领域的应用。
近日，省科学院半导体产业技术研究院科研人员采用电化学腐蚀方法实现了蓝宝石衬底的剥离，并将剥离后的微米线结构转移到PET柔性衬底上，通过对微米线器件施加外部应变，可调节量子阱异质结的能带，从而调控载流子传输，实现压电式应变传感，与已有的应变传感器相比，该结构具有成本低、易于制作、在低偏置和应变小的情况下具有较高的灵敏度等明显优点。
相关结果以“The piezotronic effect in InGaN/GaN quantum-well based microwire for ultrasensitive strain sensor”为题发表于《Nano Energy》(工程技术一区top，2019年影响因子16.602)，半导体院为论文共同第一作者单位。
选择性电化学腐蚀制备InGaN/GaN多量子阱微米线型压电式应变传感器实验流程及SEM表征
论文链接：https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104660
（省科学院半导体院 材料外延平台/供稿）
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