蓝光LED在照明等领域被广泛应用，在蓝宝石上采用异质外延方法制备蓝光LED是业界主流技术路线，然而该技术路线存在残余应变强、散热性能差等瓶颈问题，限制了器件性能的进一步提升。
近日，省科学院半导体产业技术研究院科研人员与华南师范大学、广东工业大学合作，利用草酸将重掺杂的GaN外延层腐蚀掉(电化学腐蚀)，实现蓝宝石衬底的剥离，规避了传统激光剥离方法存在的成本高、工艺复杂、良率低的问题。在此基础上制备的垂直结构蓝光LED具有残余应变小、散热性能好、发光功率高、可穿戴的特点，有望应用于低成本、高性能的新型照明领域。
相关研究成果以“Epitaxtial lift-off for freestanding InGaN/GaN membranes and vertical blue light-emittingdiodes”为题发表于《Journal of Materials Chemistry C》(工程技术一区top，2019年影响因子7.059)，半导体院为共同通讯作者单位，上述工作得到省科学院建设国内一流研究机构行动专项资金项目的支持。
论文链接：https://doi.org/10.1039/D0TC01986K
选择性电化学腐蚀制备剥离的无支撑InGaN/GaN多量子阱LED薄膜实验示意图
（省科学院半导体院材料外延平台/供稿）
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