随着现今主流的含汞紫外光源被禁止生产与销售，新型固态环保紫外光源已逐渐成为刚需。AlGaN材料是发展无汞环保、便携、低功耗、低电压固态紫外光源的理想材料，而AlGaN基紫外光源性能的提升依赖于对AlGaN材料缺陷行为的理解和器件外延结构设计制备。
省半导体院研发人员在此前AlGaN基紫外光电材料及器件取得的系列进展基础上，进一步借助正电子湮灭技术对AlGaN薄膜的点缺陷特性进行了深入研究，发展利用高能电子束辐照等技术对材料近表面的点缺陷态进行定向调控，相关成果近日以“Point-Defect Distribution and Transformation Near the Surfaces of AlGaN Films Grown by MOCVD”为题发表于《Journal of Physical Chemistry C》上，省半导体院刘宁炀博士为论文第一作者，陈志涛博士为论文的通讯作者。此外，在器件设计方面，研究表明具有Al组分渐变的AlxGa1-xN载流子收集层能有效地改善深紫外LED的空穴注入水平和辐射复合速率，显著增强280纳米深紫外光源的内量子效率，相关部分成果近日以“Marked enhancement in the efficiency of deep ultraviolet light-emitting diodes by using a AlxGa1-xN carrier reservoir layer”为题发表于《Applied Physics Express》上。省半导体院贺龙飞为论文第一作者，陈志涛博士为论文通讯作者。
以上工作得到了国家及省自然科学基金、省科学院科技专项、珠江科技新星等项目的资助。
（省半导体院 刘宁炀/供稿）
论文链接:
JPCC: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.8b11807
APEX: https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab22df/pdf
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